Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 789 A 278 W, 9-Pin PG-TTFN-9

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RS Best.-Nr.:
284-940
Herst. Teile-Nr.:
IQDH29NE2LM5CGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

789A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

PG-TTFN-9

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

9

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.29mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET verfügt über einen optimos 5-Leistungstransistor, der für außergewöhnliche Leistungen in verschiedenen industriellen Anwendungen entwickelt wurde. Dieser hochmoderne N-Kanal-Transistor arbeitet mit einer maximalen Spannung von 25 V und bietet einen beeindruckend niedrigen Einschaltwiderstand sowie ein verbessertes Wärmemanagement. Seine beeindruckende Dauerstrombelastbarkeit von 789 A ermöglicht eine effiziente Leistung auch unter schwierigen Bedingungen. Es wurde für die Zuverlässigkeit gebaut und ist vollständig nach JEDEC-Standards qualifiziert, um Langlebigkeit und Ausdauer im täglichen Gebrauch zu gewährleisten.

Erweiterte Wärmebeständigkeit für Langlebigkeit

Drainstrom ohne Gate-Spannung minimiert Energieverschwendung

Robuste Handhabung der Lawinenenergie für mehr Zuverlässigkeit

Pb-frei und RoHS-konform für Umweltfreundlichkeit

Optimiert für Anwendungen auf Logikebene

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