Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 273 A 333 W, 9-Pin IQD020N10NM5CGATMA1 PG-TTFN-9

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RS Best.-Nr.:
284-934
Herst. Teile-Nr.:
IQD020N10NM5CGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

273A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PG-TTFN-9

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

9

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.05mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der Infineon-MOSFET verfügt über einen OptiMOS 5-Leistungstransistor, der einen bedeutenden Fortschritt in der MOSFET-Technologie darstellt und auf anspruchsvolle industrielle Anwendungen zugeschnitten ist. Dieser robuste Transistor wurde entwickelt, um außergewöhnliche Leistung mit überlegenem Wärmemanagement zu liefern, womit er eine ideale Wahl für Systeme ist, die eine effiziente Energieumwandlung und -verwaltung erfordern. Mit einer Nennspannung von 100 V und einem beeindruckend niedrigen Durchgangswiderstand bietet dieses Produkt eine hohe Belastbarkeit bei gleichzeitig geringen Energieverlusten. Seine zuverlässige Leistung wird auch durch umfangreiche Validierungen gestützt, die eine gesicherte Funktionalität unter verschiedenen Betriebsbedingungen gewährleisten.

N-Kanal-Design für effizientes Schalten

Niedriger Einschaltwiderstand minimiert den Leistungsverlust

Außergewöhnliche Wärmebeständigkeit verlängert die Lebensdauer

100% lawinengeprüft und zuverlässig

RoHS-konform für Umweltfreundlichkeit

Halogenfreies Material für Umweltstandards

Zuverlässig in Umgebungen mit hohen Temperaturen

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