Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 99 A 100 W, 9-Pin PG-WHTFN-9

Der Infineon-MOSFET ist mit einem OptiMOS 5-Leistungstransistor ausgestattet, der hohe Effizienz und Zuverlässigkeit für anspruchsvolle Anwendungen bietet. Mit dem Schwerpunkt auf optimierter Leistung in Schaltnetzteilen zeichnet sich dieser N-Kanal-MOSFET durch synchrone Gleichrichteraufgaben aus. Entwickelt mit fortschrittlichen thermischen Eigenschaften, sorgt es für eine überlegene Wärmeableitung zusammen mit einem extrem niedrigen Widerstand beim Einschalten, was einen effizienten Betrieb auch unter strengen elektrischen Anforderungen ermöglicht. Das Bauteil zeichnet sich durch eine umfassende Validierung nach JEDEC-Standards für industrielle Anwendungen aus, was professionellen Anwendern Sicherheit gibt. Der Transistor eignet sich ideal für industrielle Stromkreise und verfügt über eine robuste Avalanche-Bewertung, die eine hohe Belastbarkeit in Szenarien mit hoher Beanspruchung sicherstellt und ihn zu einer intelligenten Wahl für die Stromversorgungssysteme von morgen macht.

Optimiert für SMPS mit hoher Leistung