Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 80 V / 127 A 125 W, 9-Pin PG-WHTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 762-895
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE031N08LM6CGSCATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 127A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PG-WHTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.15mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 127A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PG-WHTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.15mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.75mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der OptiMOS 6-Leistungstransistor von Infineon ist für Hochleistungs-SMPS mit einer Nennspannung von 80 V optimiert. Er ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21 und RoHS-konform.
N-Kanal
100 % Avalanche-getestet
Betriebstemperatur 75 °C
Bleifreie Bleibeschichtung
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