Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 789 A, 9-Pin PG-WHTFN-9

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

8,60 €

(ohne MwSt.)

10,24 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 184,30 €8,60 €
20 - 1983,875 €7,75 €
200 - 9983,575 €7,15 €
1000 - 19983,31 €6,62 €
2000 +2,965 €5,93 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
348-874
Herst. Teile-Nr.:
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

789 A

Drain-Source-Spannung max.

25 V

Gehäusegröße

PG-WHTFN-9

Serie

OptiMOS 5

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

9

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Ursprungsland:
MY
Der Infineon Power-MOSFET hat den branchenweit niedrigsten RDS(on) von 0,29 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Der Centre-Gate Footprint ist für die Parallelisierung optimiert.

Minimierte Leitungsverluste
Schnelles Umschalten
Reduziertes Überschwingen der Spannung

Verwandte Links