Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 132 A 100 W, 9-Pin IQE030N06NM5CGSCATMA1 PG-WHTFN-9

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RS Best.-Nr.:
284-757
Herst. Teile-Nr.:
IQE030N06NM5CGSCATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

132A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PG-WHTFN-9

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

9

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein Leistungstransistor, der für den effizienten Betrieb in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde und für modernste Technologie und Leistung steht. Optimiert für synchrone Gleichrichtung, sorgt es für überlegenes Wärmemanagement und Zuverlässigkeit, was es zu einer idealen Wahl für verschiedene industrielle Anwendungen macht. Er basiert auf der OptiMOS 5-Plattform und ist so konzipiert, dass er innerhalb eines 60-V-Bereichs effektiv funktioniert und gleichzeitig eine kompakte Abmessung beibehält. Sein robustes Design ermöglicht ein effizientes Schalten und gewährleistet eine hohe Leistung bei gleichzeitiger Minimierung der Verluste.

Hervorragender Wärmewiderstand für Zuverlässigkeit

Pb-freie Beschichtung zur Einhaltung der Umweltvorschriften

100%ige Avalanche-Prüfung zur Leistungssicherung

Außergewöhnliche Gate-Ladung für Schalteffizienz

Entspricht den Normen für Halogenfreiheit

Ideal für harte industrielle Anwendungen

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