Infineon IQD0 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 151 A 333 W, 9-Pin PG-WHTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 351-911
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD063N15NM5CGSCATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
12,38 €
(ohne MwSt.)
14,74 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 21. Oktober 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,19 € | 12,38 € |
| 20 - 198 | 5,575 € | 11,15 € |
| 200 - 998 | 5,14 € | 10,28 € |
| 1000 - 1998 | 4,77 € | 9,54 € |
| 2000 + | 4,27 € | 8,54 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-911
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD063N15NM5CGSCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 151A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | IQD0 | |
| Gehäusegröße | PG-WHTFN-9 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.32mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 830mV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6mm | |
| Höhe | 750μm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 151A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie IQD0 | ||
Gehäusegröße PG-WHTFN-9 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.32mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 830mV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6mm | ||
Höhe 750μm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon Power-MOSFET hat einen niedrigen RDS(on) von 6,32 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Der Center-Gate Footprint ist für die Parallelisierung optimiert. Außerdem kann mit dem doppelseitigen Kühlgehäuse fünfmal mehr Leistung abgeführt werden als mit dem umspritzten Gehäuse. Dies ermöglicht eine höhere Systemeffizienz und Leistungsdichte für eine Vielzahl von Endanwendungen.
Modernste 150-V-Siliziumtechnologie
Hervorragende FOMs
Verbesserte Wärmeleistung
Ultra-niedrig parasitär
Maximiertes Chip- oder Gehäuseverhältnis
Center-Gate-Fußabdruck
Industriestandard-Gehäuse
Verwandte Links
- Infineon IQD0 N-Kanal 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon IQD0 N-Kanal 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS 5 N-Kanal 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon IQD0 N-Kanal 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS N-Kanal 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon OptiMOS N-Kanal 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon OptiMOS N-Kanal 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon OptiMOS 5 N-Kanal 9-Pin PG-WHTFN-9