Infineon IQD0 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 276 A 333 W, 8-Pin PG-WHSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 351-912
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD020N10NM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IQD020N10NM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 276A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PG-WHSON-8 | |
| Serie | IQD0 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.05mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 107nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Breite | 6mm | |
| Höhe | 750μm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 276A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PG-WHSON-8 | ||
Serie IQD0 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.05mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 107nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Breite 6mm | ||
Höhe 750μm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon Power-MOSFET hat einen niedrigen RDS(on) von 2,05 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Außerdem kann mit dem doppelseitigen Kühlgehäuse fünfmal mehr Leistung abgeführt werden als mit dem umspritzten Gehäuse. Dies ermöglicht eine höhere Systemeffizienz und Leistungsdichte für eine Vielzahl von Endanwendungen.
Modernste 100-V-Siliziumtechnologie
Hervorragende FOMs
Verbesserte Wärmeleistung
Ultra-niedrig parasitär
Maximiertes Chip- oder Gehäuseverhältnis
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