Infineon IQD0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 276 A 333 W, 8-Pin PG-WHSON-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

11,31 €

(ohne MwSt.)

13,458 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 5.000 Einheit(en) mit Versand ab 20. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 185,655 €11,31 €
20 - 1985,095 €10,19 €
200 - 9984,695 €9,39 €
1000 - 19984,355 €8,71 €
2000 +3,905 €7,81 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
351-912
Herst. Teile-Nr.:
IQD020N10NM5SCATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

276A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IQD0

Gehäusegröße

PG-WHSON-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.05mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

107nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6 mm

Höhe

0.75mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon Power-MOSFET hat einen niedrigen RDS(on) von 2,05 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Außerdem kann mit dem doppelseitigen Kühlgehäuse fünfmal mehr Leistung abgeführt werden als mit dem umspritzten Gehäuse. Dies ermöglicht eine höhere Systemeffizienz und Leistungsdichte für eine Vielzahl von Endanwendungen.

Modernste 100-V-Siliziumtechnologie

Hervorragende FOMs

Verbesserte Wärmeleistung

Ultra-niedrig parasitär

Maximiertes Chip- oder Gehäuseverhältnis

Verwandte Links