Infineon IQD0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 276 A 333 W, 8-Pin PG-WHSON-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

10,00 €

(ohne MwSt.)

11,90 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 185,00 €10,00 €
20 - 1984,505 €9,01 €
200 - 9984,15 €8,30 €
1000 - 19983,85 €7,70 €
2000 +3,455 €6,91 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
351-912
Herst. Teile-Nr.:
IQD020N10NM5SCATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

276A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PG-WHSON-8

Serie

IQD0

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.05mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

107nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Höhe

0.75mm

Länge

5mm

Breite

6 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon Power-MOSFET hat einen niedrigen RDS(on) von 2,05 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Außerdem kann mit dem doppelseitigen Kühlgehäuse fünfmal mehr Leistung abgeführt werden als mit dem umspritzten Gehäuse. Dies ermöglicht eine höhere Systemeffizienz und Leistungsdichte für eine Vielzahl von Endanwendungen.

Modernste 100-V-Siliziumtechnologie

Hervorragende FOMs

Verbesserte Wärmeleistung

Ultra-niedrig parasitär

Maximiertes Chip- oder Gehäuseverhältnis

Verwandte Links