Infineon 650V CoolMOS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 136 A, 22-Pin PG-HDSOP-22

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-869
Herst. Teile-Nr.:
IPDQ65R017CFD7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

136 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

PG-HDSOP-22

Serie

650V CoolMOS

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

22

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Der Infineon-MOSFET besteht aus der CoolMOS CFD7-Serie, die für hohe Effizienz bei resonanten Schaltanwendungen entwickelt wurde. Mit einer Durchbruchspannung von 650 V zeichnet sich das Produkt durch eine hervorragende thermische Leistung aus und ist damit die ideale Wahl für anspruchsvolle Umgebungen wie Server- und Telekommunikationssysteme, EV-Ladegeräte und Solaranwendungen. Seine überragenden harten Kommutierungsfähigkeiten und schnellen Schalteigenschaften bieten Zuverlässigkeit und Sicherheit in kritischen Anwendungen. Das Gerät zielt darauf ab, die Leistungsdichte zu erhöhen und gleichzeitig eine außergewöhnliche Leistung bei geringer Last zu gewährleisten. Als solche ist sie eine wirksame Lösung für zeitgemäße energieeffiziente Designs.

Ultraschnelle Body-Diode steigert die Schaltleistung
Optimiert für phasenverschobene Vollbrückenanwendungen
Hohe thermische Robustheit verbessert die Gesamteffizienz
Flexible Konstruktion mit geringer RDS-Temperaturabhängigkeit
Unterstützt höhere Busspannungen für mehr Leistungsdichte
Unempfindlich gegen harte Kommutierung für zuverlässigen Betrieb
Vollständig qualifiziert nach JEDEC-Normen

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