Infineon 650V CoolMOS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 36 A, 22-Pin PG-HDSOP-22

Der Infineon-MOSFET ist mit der neuesten Generation der CoolMOS-Technologie ausgestattet. Dieses Produkt stellt einen bedeutenden Fortschritt bei Hochleistungs-MOSFETs dar. Er wurde entwickelt, um die Effizienz bei 650 V zu erhöhen, und übertrifft seinen Vorgänger, den CoolMOS CFD2, durch ein verbessertes thermisches Verhalten und eine höhere Schaltleistung. Dank seiner außergewöhnlichen Fähigkeiten eignet er sich hervorragend für resonante Schalttopologien, einschließlich LLC und phasenverschobener Vollbrücke. Der mit einer schnellen Body-Diode ausgestattete Baustein ist für Anwendungen optimiert, die eine hohe Leistungsdichte und Zuverlässigkeit erfordern. Dieses Produkt ist vollständig nach den JEDEC-Normen qualifiziert und gewährleistet eine hervorragende Qualität für industrielle Anwendungen. Dieser MOSFET ist ideal für technische Entwickler und Ingenieure, die nach innovativen Lösungen für das Laden von Elektrofahrzeugen, Telekommunikations- und Serveranwendungen suchen, und setzt neue Maßstäbe für die Leistungseffizienz.

Ultraschnelle Body-Diode erhöht die Geschwindigkeit
Reduziert Schaltverluste für mehr Effizienz
Klassenbester bei staatlichem Widerstand
Sorgt für Robustheit bei der Kommutierung
Sicherheitszuschlag für hohe Busspannung
Unterstützt die Effizienz bei geringer Last
Verbessert die Effizienz bei Volllast
Optimiert für Phasenverschiebungsdesigns
Entspricht den JEDEC-Normen