Infineon 650V CoolMOS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 22-Pin PG-HDSOP-22

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-877
Herst. Teile-Nr.:
IPDQ65R060CFD7XTMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

45 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Serie

650V CoolMOS

Gehäusegröße

PG-HDSOP-22

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

22

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Infineon-MOSFET verfügt über einen 650-V-CoolMOS CFD7, einen fortschrittlichen Leistungsbaustein, der die Effizienz in resonanten Schalttopologien verbessert. Dieser innovative MOSFET erweitert die Fähigkeiten seiner Vorgänger und bietet außergewöhnliche thermische Leistung und verbesserte Schalteigenschaften. Mit ihrer schnellen Body-Dioden-Technologie gewährleistet die CoolMOS CFD7 höchste Zuverlässigkeit und Robustheit in anspruchsvollen Anwendungen. Er ist optimal für industrielle Schaltnetzteile geeignet, insbesondere für phasenverschobene Vollbrücken- und LLC-Anwendungen. Die Kombination aus hoher Leistungsdichte und hervorragender Effizienz macht dieses Produkt zu einer bevorzugten Wahl für Ingenieure, die ihre Designs in Bereichen wie Telekommunikation, Solar und Ladesysteme für Elektrofahrzeuge verbessern wollen.

Die ultraschnelle Body-Diode verbessert die Gesamteffizienz
Bietet Robustheit für zuverlässige harte Kommutierung
Übertrifft die strengen Zuverlässigkeitsstandards für Leistung
Minimiert Schaltverluste für einen überlegenen Betrieb
Bietet eine robuste Sicherheitsmarge für erhöhte Busspannungen
Ermöglicht außergewöhnliche Effizienz bei geringer Last für die Industrie
Unterstützt fortschrittliches Wärmemanagement mit geringem Widerstand

Verwandte Links