Infineon 650V CoolMOS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A, 22-Pin PG-HDSOP-22

Der Infineon-MOSFET verfügt über die neueste Iteration der 650-V-CoolMOS-Technologie und zeichnet sich durch eine innovative Mischung aus reduzierten Schaltverlusten und außergewöhnlichem thermischen Verhalten aus. Er wurde entwickelt, um den Wirkungsgrad in resonanten Schaltszenarien zu optimieren und eignet sich hervorragend für Anwendungen, die eine hohe Leistungsdichte und Zuverlässigkeit erfordern. Dieser Baustein ist ein moderner Nachfolger der CoolMOS-Familie und bietet erweiterte Funktionen für eine Vielzahl anspruchsvoller industrieller Anwendungen. Mit seiner ultraschnellen Body-Diode und seiner überragenden Robustheit bei harter Kommutierung eignet sich dieser Baustein besonders gut für Soft-Switching-Topologien und bietet Lösungen für Bereiche wie Telekommunikation und das Laden von Elektrofahrzeugen. Optimiert für Designflexibilität, erfüllt er strenge Effizienzstandards und hohe Zuverlässigkeitsanforderungen und ermöglicht gleichzeitig eine kosteneffiziente Leistung für moderne Energieanwendungen.

Ultra-schnelle Body-Diode verbessert das Schalten
Reduziert Schaltverluste für mehr Energieeffizienz
Zusätzliche Sicherheitsmarge für hohe Busspannung
Ermöglicht kompakte Lösungen mit hoher Leistungsdichte
Hervorragender Wirkungsgrad bei geringer Last für den industriellen Einsatz
Preislich konkurrenzfähig mit früheren CoolMOS-Familien
Vollständig konform mit den JEDEC-Normen