Infineon 650V CoolMOS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 64 A, 22-Pin PG-HDSOP-22

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RS Best.-Nr.:
284-872
Herst. Teile-Nr.:
IPDQ65R040CFD7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

64 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

PG-HDSOP-22

Serie

650V CoolMOS

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

22

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Der Infineon-MOSFET verfügt über ein 650-V-CoolMOS-CFD7-Power-Device, das neue Maßstäbe in Sachen Effizienz und Zuverlässigkeit setzt. Er wurde für modernste Anwendungen entwickelt und ist der Nachfolger seines renommierten Vorgängers, der ein verbessertes thermisches Verhalten und eine überlegene Schaltleistung bietet. Mit seiner beispiellosen Effizienz in resonanten Schalttopologien wie LLC- und phasenverschobenen Vollbrückenkonfigurationen ist dieser Baustein eine ideale Wahl für Leistungslösungen mit hoher Dichte. Die schnelle Body-Dioden-Technologie bietet nicht nur außergewöhnliche Robustheit, sondern unterstützt auch komplizierte Schaltungsdesigns in Branchen wie Server, Telekommunikation, EV-Ladetechnik und Solaranwendungen.

Ultraschnelle Body-Diode erhöht die Leistung
Geringere Schaltverluste für mehr Effizienz
Außergewöhnlicher Wärmewiderstand in kompakter Bauweise
Zuverlässige harte Kommutierung für anspruchsvolle Anwendungen
Ideal für Lösungen mit hoher Leistungsdichte
Optimiert die Effizienz bei geringer Last in industriellen Anlagen
Maßgeschneidert für moderne PCB-Kompatibilität und Integration

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