Infineon 650V CoolMOS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 29 A, 22-Pin PG-HDSOP-22

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-883
Herst. Teile-Nr.:
IPDQ65R099CFD7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

29 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Serie

650V CoolMOS

Gehäusegröße

PG-HDSOP-22

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

22

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Infineon-MOSFET verfügt über einen 650-V-CoolMOS CFD7, der für überlegene Leistung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde. Dieses speziell auf resonante Schalttopologien wie LLC- und Phasenverschiebungs-Vollbrückendesigns zugeschnittene Leistungsbauelement erhöht die Effizienzstandards durch seine verbesserten thermischen Eigenschaften und seine verbesserten Schaltfunktionen. Das CFD2 ist ein wichtiges Upgrade seines Vorgängers und bietet eine außergewöhnliche Robustheit und Zuverlässigkeit, wodurch es sich ideal für hocheffiziente Stromversorgungslösungen in verschiedenen Branchen eignet, von der Telekommunikation bis zum Laden von Elektrofahrzeugen. Die Integration der Fast-Body-Dioden-Technologie steigert die Leistung weiter und gewährleistet einen erstklassigen Wirkungsgrad bei gleichzeitig optimalem Wärmemanagement, das Lösungen mit höherer Leistungsdichte unterstützt.

Ultra schnelle Body-Diode für schnelles Schalten
Optimiert für geringe Schaltverluste
Langlebige Konstruktion gewährleistet harte Kommutierung
Unterstützt breitere Busspannungsanwendungen
Ideal für industrielle SMPS-Effizienz
Ermöglicht Lösungen mit hoher Leistungsdichte
Vollständig qualifiziert nach JEDEC-Normen

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