Infineon HEXFET IRF7509TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A; 2,7 A 1,25 W, 8-Pin MSOP

RS Best.-Nr.:: 301-192
Herst. Teile-Nr.:: IRF7509TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF7509TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A; 2,7 A 1,25 W, 8-Pin MSOP

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RS Best.-Nr.:: 301-192
Herst. Teile-Nr.:: IRF7509TRPBF
Marke:: Infineon

IRF7509 HEXFET® Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	2 A; 2,7 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	MSOP
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	110 mΩ, 200 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	1,25 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Gate-Ladung typ. @ Vgs	7,5 nC @ 10 V, 7,8 nC @ 10 V
Länge	3mm
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	3mm
Höhe	0.86mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET IRF7509TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A; 2,7 A 1,25 W, 8-Pin MSOP

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Infineon

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