Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3 A 1.25 W, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

270,00 €

(ohne MwSt.)

330,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 27.000 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 30000,09 €270,00 €
6000 - 60000,086 €258,00 €
9000 +0,081 €243,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
913-4705
Herst. Teile-Nr.:
IRLML5203TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

165mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.25W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.04mm

Höhe

1.02mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 3A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 30V maximale Drain-Source-Spannung - IRLML5203TRPBF


Dieser MOSFET ist ein Hochleistungs-Leistungsbauelement, das sich für eine Reihe von Anwendungen in der Elektronikbranche eignet. Dieser P-Kanal-Baustein im kompakten SOT-23-Gehäuse bietet einen hohen Wirkungsgrad mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 3 A und einer Drain-Source-Spannung von 30 V. Mit Abmessungen von 3,04 mm in der Länge, 1,4 mm in der Breite und 1,02 mm in der Höhe eignet er sich gut für platzbeschränkte Designs.

Eigenschaften und Vorteile


• Drain-Source-Spannung von 30 V für vielseitigen Einsatz möglich

• Entwickelt für die Oberflächenmontage zur Vereinfachung des PCB-Designs

• Arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C

• Nutzt den Anreicherungsmodus für zuverlässige Schaltleistung

Anwendungen


• Einsatz in Batteriemanagementsystemen für optimale Leistung

• Einsatz in tragbarer Elektronik aufgrund des flachen Designs

• Angewandt in Lastmanagementlösungen für verschiedene Geräte

• Geeignet für fortschrittliche Automatisierungssteuerungssysteme

Welche Bedeutung hat der niedrige Rds(on) in diesem Gerät?


Der niedrige Rds(on) sorgt für eine geringere Verlustleistung während des Betriebs, was den Gesamtwirkungsgrad erhöht und die Wärmeentwicklung in den Anwendungen niedrig hält.

Wie wirkt sich die Verlustleistung auf die Leistung des Geräts aus?


Die Fähigkeit, bis zu 1,25 W abzuleiten, ermöglicht ein effektives Wärmemanagement, das sicherstellt, dass das Gerät auch unter maximaler Belastung zuverlässig und ohne thermische Ausfälle arbeitet.

Welche Faktoren beeinflussen die Auswahl dieses MOSFET für eine bestimmte Anwendung?


Faktoren wie maximaler kontinuierlicher Drainstrom, Spannungswerte und thermische Eigenschaften sollten berücksichtigt werden, um die Kompatibilität mit den Schaltungsanforderungen und Leistungserwartungen sicherzustellen.

Verwandte Links