Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 301-316
Herst. Teile-Nr.:: IRLML6401TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23

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Infineon HEXFET Serie MOSFET, 4,3A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,3W maximale Verlustleistung - IRLML6401TRPBF

Dieser P-Kanal-MOSFET ist auf Effizienz ausgelegt und eignet sich daher für Anwendungen, die ein effektives Power-Management erfordern. Durch den Einsatz der HEXFET-Technologie bietet er einen niedrigen Durchlasswiderstand, was zu einer geringeren Verlustleistung im Betrieb führt. Dank seiner robusten Bauweise kann er hohen Temperaturen standhalten und eignet sich daher für Umgebungen, in denen es auf Leistung ankommt.

Eigenschaften und Vorteile

• Fortschrittliche Verarbeitung für sehr niedrigen On-Widerstand
• Maximale Drain-Source-Spannung von 12V
• Kontinuierliche Stromaufnahmefähigkeit von 4,3 A
• Sperrschichttemperaturtoleranz bis zu 150°C
• Optimiert für schnell schaltende Anwendungen zur Steigerung der Effizienz
• Kompaktes SOT-23-Gehäuse für platzsparende Schaltungsdesigns

Anwendungsbereich

• Batterie- und Lastmanagementsysteme
• Tragbare Elektronik, wo flache Komponenten erforderlich sind
• Energieverwaltungslösungen in PCMCIA-Karten
• Automatisierungssysteme, die zuverlässiges Schalten erfordern
• Elektronische Schaltungen, die ein kompaktes oberflächenmontiertes Design benötigen

Welche Auswirkungen haben höhere Temperaturen auf die Leistung?

Höhere Temperaturen können den Durchlasswiderstand erhöhen, was die Effizienz verringern kann. Das Gerät arbeitet sicher bis zu 150°C und behält seine Funktionalität auch unter schwierigen Bedingungen bei.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf den Betrieb aus?

Die Gate-Schwellenspannung, die zwischen 0,4V und 0,95V liegt, gibt die Mindestspannung an, die zur Aktivierung des Bauelements erforderlich ist. Die Einhaltung dieses Bereichs gewährleistet eine effektive Lastschaltung.

Ist dieses Produkt für schnell schaltende Anwendungen geeignet?

Ja, der MOSFET ermöglicht schnelle Übergänge zwischen Ein- und Aus-Zuständen, wodurch Energieverluste verringert und die Reaktionsfähigkeit der Schaltung verbessert werden.

Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Installation zu treffen?

Es ist ratsam, einen geeigneten Kühlkörper zu verwenden, wenn Sie in der Nähe der maximalen Stromstärke arbeiten, um eine Überhitzung zu vermeiden. Aufgrund des oberflächenmontierten Designs wird eine ordnungsgemäße Löttechnik empfohlen.

Kann dieses Gerät für Anwendungen mit hoher Leistung verwendet werden?

Das Gerät kann kontinuierlich 4,3A verwalten

für eine optimale Leistung ist es jedoch unerlässlich, die Leistungsanforderungen der jeweiligen Anwendung und das Wärmemanagement zu bewerten.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	4,3 A
Drain-Source-Spannung max.	12 V
Gehäusegröße	SOT-23
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	50 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	0.95V
Gate-Schwellenspannung min.	0.4V
Verlustleistung max.	1,3 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	10 nC @ 5 V
Länge	3.04mm
Breite	1.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.02mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V