Infineon HEXFET IRLML6401TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 919-4713
Herst. Teile-Nr.:: IRLML6401TRPBF
Marke:: Infineon

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Infineon HEXFET IRLML6401TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23

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Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
3000 - 3000	0,096 €	288,00 €
6000 - 6000	0,091 €	273,00 €
9000 +	0,086 €	258,00 €

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RS Best.-Nr.:: 919-4713
Herst. Teile-Nr.:: IRLML6401TRPBF
Marke:: Infineon

Ursprungsland:: PH

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	4,3 A
Drain-Source-Spannung max.	12 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	50 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	0.95V
Gate-Schwellenspannung min.	0.4V
Verlustleistung max.	1,3 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
Länge	3.04mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	10 nC @ 5 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	1.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.02mm

Infineon HEXFET IRLML6401TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23

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P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 20 V, Infineon

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