Microchip TN0702 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 20 V, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 333-075
- Herst. Teile-Nr.:
- TN0702N3-G
- Marke:
- Microchip
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | TN0702 | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie TN0702 | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Microchip Low Threshold Enhancement Mode Transistor verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Herstellungsprozess. Diese Kombination führt zu einem Bauelement mit den Leistungsfähigkeiten bipolarer Transistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten
mOS-Bauteilen inhärent ist. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist.
1.6V maximale untere Schwelle
Hohe Eingangsimpedanz
130 pF typische niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Niedriger Einschaltwiderstand garantiert bei VGS 2V 3V und 5V
Frei von Sekundärpannen
Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage