Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 72 A 52 W, 8-Pin ISZ056N03LF2SATMA1 PG-TSDSON-8

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RS Best.-Nr.:
348-900
Herst. Teile-Nr.:
ISZ056N03LF2SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

72A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

ISZ

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.4nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Ursprungsland:
CN
Der Infineon StrongIRFET 2 Leistungs-MOSFET 30 V im PQFN 3,3 x 3,3 Gehäuse. Der 30-V-Leistungs-MOSFET StrongIRFET 2 von Infineon zeichnet sich durch einen erstklassigen RDS(on) von 5,6 mOhm in einem PQFN-Gehäuse von 3,3 x 3,3 aus. Dieses Produkt eignet sich für ein breites Spektrum von Anwendungen mit niedriger bis hoher Schaltfrequenz.

Produkte für allgemeine Zwecke

Ausgezeichnete Robustheit

Hervorragendes Preis-/Leistungsverhältnis

Breite Verfügbarkeit bei Händlern

Standardgehäuse und Pinbelegung

Hohe Fertigungs- und Lieferstandards

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