Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 30 V / 128 A 83 W, 8-Pin PG-TSDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 348-902
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ028N03LF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 348-902
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ028N03LF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 128A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PG-TSDSON-8 | |
| Serie | ISZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 128A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PG-TSDSON-8 | ||
Serie ISZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Infineon StrongIRFET 2 Leistungs-MOSFET 30 V im PQFN 3,3 x 3,3 Gehäuse. Er verfügt über einen erstklassigen RDS(on) von 2,8 mOhm in einem PQFN 3,3 x 3,3-Gehäuse. Dieses Produkt eignet sich für ein breites Spektrum von Anwendungen mit niedriger bis hoher Schaltfrequenz. Verglichen mit der bisherigen Technologie erreicht sie eine Verbesserung des RDS(on) um bis zu 40 % bei gleichzeitiger Steigerung des FOM um bis zu 60 % und ausgezeichneter Robustheit.
Produkte für allgemeine Zwecke
Ausgezeichnete Robustheit
Hervorragendes Preis-/Leistungsverhältnis
Breite Verfügbarkeit bei Händlern
Standardgehäuse und Pinbelegung
Hohe Fertigungs- und Lieferstandards
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