Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 30 V / 128 A 83 W, 8-Pin PG-TSDSON-8

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RS Best.-Nr.:
348-902
Herst. Teile-Nr.:
ISZ028N03LF2SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

128A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

ISZ

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Infineon StrongIRFET 2 Leistungs-MOSFET 30 V im PQFN 3,3 x 3,3 Gehäuse. Er verfügt über einen erstklassigen RDS(on) von 2,8 mOhm in einem PQFN 3,3 x 3,3-Gehäuse. Dieses Produkt eignet sich für ein breites Spektrum von Anwendungen mit niedriger bis hoher Schaltfrequenz. Verglichen mit der bisherigen Technologie erreicht sie eine Verbesserung des RDS(on) um bis zu 40 % bei gleichzeitiger Steigerung des FOM um bis zu 60 % und ausgezeichneter Robustheit.

Produkte für allgemeine Zwecke

Ausgezeichnete Robustheit

Hervorragendes Preis-/Leistungsverhältnis

Breite Verfügbarkeit bei Händlern

Standardgehäuse und Pinbelegung

Hohe Fertigungs- und Lieferstandards

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