Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 63 A 100 W, 8-Pin ISZ113N10NM5LF2ATMA1 PG-TSDSON-8

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RS Best.-Nr.:
349-154
Herst. Teile-Nr.:
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

63A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

ISZ

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der OptiMOS Linear FET von Infineon ist ein revolutionärer Ansatz, der den Konflikt zwischen Einschaltwiderstand und linearer Betriebsfähigkeit löst. In Kombination mit dem kostengünstigen, flachen PQFN-Gehäuse (3,3x3,3) ist er für Softstart und Strombegrenzung in Power-over-Ethernet (PoE)-Anwendungen geeignet.

Großer sicherer Arbeitsbereich

Niedriger RDS(ein)

Hoher max. Impulsstrom

Hoher max. Dauerstrom

Erhältlich in einem kleinen, flachen Gehäuse

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