Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 72 A 416 W, 10-Pin PG-HDSOP-10
- RS Best.-Nr.:
- 348-990
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDD60R037CM8XTMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
7,50 €
(ohne MwSt.)
8,92 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 1.700 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,50 € |
| 10 - 99 | 6,74 € |
| 100 - 499 | 6,22 € |
| 500 - 999 | 5,77 € |
| 1000 + | 5,17 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 348-990
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDD60R037CM8XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 72A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-10 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 37mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 416W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 72A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-10 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 10 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 37mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 416W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die Infineon CoolMOS-Plattform der 8. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600 V CoolMOS CM8-Serie ist der Nachfolger des CoolMOS 7. Sie vereint die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit hervorragender Benutzerfreundlichkeit, z. B. geringer Klingeltendenz, integrierter schneller Body-Diode für alle Produkte mit herausragender Robustheit gegenüber harter Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen die extrem niedrigen Schalt- und Leitungsverluste des CM8 Schaltanwendungen noch effizienter.
Geeignet für harte und weiche Schalttopologien
Einfache Handhabung und schnelle Einarbeitung durch geringe Klingelneigung
Vereinfachtes Wärmemanagement dank unserer fortschrittlichen Die-Attach-Technik
Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen und Leistungsbereichen
Lösungen mit höherer Leistungsdichte durch den Einsatz von Produkten mit geringerer Stellfläche
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 10-Pin PG-HDSOP-10
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 10-Pin PG-HDSOP-10-1
- Infineon OptiMOS N-Kanal 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon IPD Typ N-Kanal 22-Pin PG-HDSOP-22
- Infineon IPD Typ N-Kanal 22-Pin PG-HDSOP-22
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon IPQ Typ N-Kanal 22-Pin PG-HDSOP-22