Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 57 A 278 W, 10-Pin PG-HDSOP-10-1

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RS Best.-Nr.:
273-2787
Herst. Teile-Nr.:
IPDD60R050G7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

57A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PG-HDSOP-10-1

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

10

Drain-Source-Widerstand Rds max.

50mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

68nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET von Infineon ist einfach zu handhaben und erfüllt höchste Qualitätsstandards. Es besteht die Möglichkeit, durch den Einsatz von PFC- und PWM-Topologien in der Anwendung Skaleneffekte zu erzielen. Die Verringerung der parasitären Quellinduktivität durch die Kelvin-Quelle verbessert den Wirkungsgrad durch schnelleres Schalten und einfachere Handhabung durch weniger Überschwingen.

Völlig bleifrei

RoHS-konform

Einfache Sichtprüfung der Leitungen

Verbesserung der thermischen Leistung

Geeignet für harte und weiche Schaltvorgänge

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