Infineon IPQ Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungsbauelement Erweiterung 60 V / 90 A 416 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
- RS Best.-Nr.:
- 349-202
- Herst. Teile-Nr.:
- IPQC60T022S7AXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungsbauelement | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | IPQ | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-22 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 416W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101, JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungsbauelement | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie IPQ | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-22 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 416W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101, JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolMOS S7TA bietet die beste Preisleistung für niederfrequente Schaltanwendungen. Der eingebettete Temperatursensor erhöht die Genauigkeit und Robustheit bei der Messung der Sperrschichttemperatur und ermöglicht gleichzeitig eine einfache und nahtlose Implementierung. Der CoolMOS S7TA ist für statisches Schalten und Hochstromanwendungen optimiert. Der neue Temperatursensor verbessert die Eigenschaften von S7A und ermöglicht die bestmögliche Nutzung des Leistungstransistors.
Optimierte Preisleistung bei niederfrequenten Schaltanwendungen
Hohe Impulsstromfähigkeit
Lückenlose Diagnose bei niedrigsten Systemkosten
Erhöhte Systemleistung
Minimierte Leitungsverluste
Mehr Zuverlässigkeit und längere Lebensdauer des Systems
Stoß- und vibrationsbeständigkeit
Keine Kontaktüberschläge oder Prellungen
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