Infineon IPQ Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungsbauelement Erweiterung 600 V / 90 A 416 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
- RS Best.-Nr.:
- 349-255
- Herst. Teile-Nr.:
- IPQC60T022S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungsbauelement | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | IPQ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 416W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC JS-001 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungsbauelement | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-22 | ||
Serie IPQ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 416W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC JS-001 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolMOS S7T bietet die beste Preisleistung für niederfrequente Schaltanwendungen. Der eingebettete Temperatursensor erhöht die Genauigkeit und Robustheit bei der Messung der Sperrschichttemperatur und ermöglicht gleichzeitig eine einfache und nahtlose Implementierung. Der CoolMOS S7T ist für statisches Schalten und Hochstromanwendungen optimiert. Der neue Temperatursensor verbessert die Eigenschaften von S7 und ermöglicht die bestmögliche Nutzung des Leistungstransistors.
Erhöhte Systemleistung
Erhöhte Systemleistung
Kompakteres und unkomplizierteres Design
Niedrigere BOM oder TCO über eine längere Lebensdauer
Mehr Zuverlässigkeit und längere Lebensdauer des Systems
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