Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 54 A 242 W, 8-Pin PG-LHSOF-4
- RS Best.-Nr.:
- 349-057
- Herst. Teile-Nr.:
- IMTA65R040M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 54A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | PG-LHSOF-4 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 49mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 242W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 54A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße PG-LHSOF-4 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 49mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 242W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 basiert auf der robusten Siliziumkarbid-Trench-Technologie der 2. Generation von Infineon und bietet unvergleichliche Leistung, höchste Zuverlässigkeit und außergewöhnliche Benutzerfreundlichkeit. Dieser MOSFET ermöglicht kosteneffiziente, hocheffiziente und vereinfachte Designs und ist damit ideal geeignet, um die ständig wachsenden Anforderungen moderner Stromversorgungssysteme und -märkte zu erfüllen. Seine fortschrittliche Technologie bietet eine leistungsstarke Lösung für eine hohe Systemeffizienz in einem breiten Spektrum von Anwendungen.
Extrem niedrige Schaltverluste
Robust gegen parasitäres Einschalten auch bei 0 V Abschaltspannung am Gate
Flexible Ansteuerspannung und kompatibel mit bipolarem Ansteuerungsschema
Robuster Betrieb von Body-Dioden unter harten Kommutierungsereignissen
Die .XT-Verbindungstechnologie für die beste thermische Leistung ihrer Klasse
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