Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 44 A 185 W, 4-Pin PG-TO247-4
- RS Best.-Nr.:
- 349-343
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZA75R040M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
12,49 €
(ohne MwSt.)
14,86 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 9 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 240 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 12,49 € |
| 10 - 99 | 11,25 € |
| 100 + | 10,37 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-343
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZA75R040M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 44A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 52mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 185W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 185W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Infineon 750 V CoolSiC Power Device G1 basiert auf Infineons massiver Siliziumkarbid-Technologie, die in mehr als 20 Jahren entwickelt wurde. Durch die Nutzung der einzigartigen Eigenschaften von SiC-Materialien mit breiter Bandlücke bietet der 750 V CoolSiC MOSFET eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Es ist speziell für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen ausgelegt und ermöglicht die einfache und kostengünstige Einrichtung von Systemen mit höchster Effizienz. Dieser MOSFET eignet sich perfekt für Anwendungen, die eine robuste Leistung und energieeffiziente Lösungen erfordern.
Erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit für Busspannungen über 500 V
Hervorragende Effizienz bei harten Schaltvorgängen
Höhere Schaltfrequenz in weich schaltenden Topologien
Robustheit gegen parasitäres Einschalten bei unipolarer Gate-Ansteuerung
Geringere Schaltverluste durch verbesserte Gate-Steuerung
Verwandte Links
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO247-4