Semikron Danfoss SEMITOP Bi-direktional-Kanal, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 1200 V / 134 A SEMITOP E2

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RS Best.-Nr.:
351-857
Herst. Teile-Nr.:
SK150AMLI120CR03TE2
Marke:
Semikron Danfoss
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Marke

Semikron Danfoss

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

Kabelkanaltyp

Bi-direktional

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

134A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

SEMITOP E2

Serie

SEMITOP

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

15 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

929nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

57.1mm

Breite

62.8 mm

Höhe

16.5mm

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC 61340

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IT
Der SiC-MOSFET WS von Semikron verfügt über ein 3-stufiges 1200-V-Planar-Gen3-Design mit einem Nennstrom von 134 A und enthält einen 1200-V-IGBT M7 der Generation 7 für eine verbesserte Leistung. Er lässt sich einfach mit einer Gatespannung von +15 V ansteuern und bietet eine optimierte Schaltstabilität durch modulintegrierte Gatewiderstände. Ein integrierter NTC-Temperatursensor sorgt für eine effiziente thermische Überwachung, und er ist UL-anerkannt unter der File-Nr. E63532.

Optimiertes Design für hervorragende thermische Leistung

Konstruktion mit niedriger Induktivität

Press-Fit Kontakttechnik

Optimiert für LF- oder HF-Betrieb

Geeignet für bidirektionalen Leistungsfluss

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