Semikron Danfoss SEMITOP, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 1200 V / 267 A SK250MB120CR03TE2 SEMITOP E2
- RS Best.-Nr.:
- 351-860
- Herst. Teile-Nr.:
- SK250MB120CR03TE2
- Marke:
- Semikron Danfoss
Zwischensumme (1 Stück)*
227,95 €
(ohne MwSt.)
271,26 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 38 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 + | 227,95 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-860
- Herst. Teile-Nr.:
- SK250MB120CR03TE2
- Marke:
- Semikron Danfoss
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron Danfoss | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 267A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | SEMITOP E2 | |
| Serie | SEMITOP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.2mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 708nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 15 V | |
| Durchlassspannung Vf | 4.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 63mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60747-1, UL | |
| Höhe | 12mm | |
| Breite | 57 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron Danfoss | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 267A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße SEMITOP E2 | ||
Serie SEMITOP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.2mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 708nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 15 V | ||
Durchlassspannung Vf 4.6V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 63mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 60747-1, UL | ||
Höhe 12mm | ||
Breite 57 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IT
Die Semikron SiC-MOSFET WS-Halbbrücke hat einen Nennstrom von 267 A und lässt sich einfach mit einer Gate-Spannung von +15 V ansteuern. Er bietet eine optimierte Schaltstabilität mit modulintegrierten Gate-Widerständen und verfügt über einen integrierten NTC-Temperatursensor für eine effiziente thermische Überwachung. UL-anerkannt unter der Datei-Nr. E63532.
Optimiertes Design für hervorragende thermische Leistung
Extrem niederinduktives Design
Pressfit-Kontakttechnik
1200V Planar Gen3 SiC MOSFET
Verwandte Links
- Semikron Danfoss SEMITOP, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 77 A
- Semikron Danfoss SEMITOP, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 51 A
- Semikron Danfoss SEMITOP, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 80 A
- Semikron Danfoss SEMITOP, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 264 A
- Semikron Danfoss SEMITOP, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 185 A
- Semikron Danfoss SEMITOP, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 100 A
- Semikron Danfoss SEMITOP, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 223 A
- Semikron Danfoss SEMITOP, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 29 A
