Semikron Danfoss SEMITOP, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 1200 V / 223 A SK200MB120CR03TE2 SEMITOP E2

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

188,30 €

(ohne MwSt.)

224,08 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 37 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +188,30 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
351-859
Herst. Teile-Nr.:
SK200MB120CR03TE2
Marke:
Semikron Danfoss
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Semikron Danfoss

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

223A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SEMITOP

Gehäusegröße

SEMITOP E2

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

15 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

590nC

Durchlassspannung Vf

4.6V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

57 mm

Höhe

12mm

Länge

63mm

Normen/Zulassungen

IEC 61340/UL

Ursprungsland:
IT
Die Semikron SiC MOSFET WS-Halbbrücke hat einen Nennstrom von 223 A und lässt sich einfach mit einer Gate-Spannung von +15 V ansteuern. Er bietet eine optimierte Schaltstabilität mit modulintegrierten Gate-Widerständen und verfügt über einen integrierten NTC-Temperatursensor für eine effiziente thermische Überwachung. UL-anerkannt unter der Datei-Nr. E63532.

Optimiertes Design für hervorragende thermische Leistung

Extrem niederinduktives Design

Pressfit-Kontakttechnik

1200V Planar Gen3 SiC MOSFET

Verwandte Links