Infineon FF6MR Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 150 A 20 mW FF6MR20W2M1HB70BPSA1 AG-EASY2B.

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RS Best.-Nr.:
351-916
Herst. Teile-Nr.:
FF6MR20W2M1HB70BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

FF6MR

Gehäusegröße

AG-EASY2B.

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

23 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

5.35V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

48 mm

Länge

62.8mm

Normen/Zulassungen

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Höhe

12.255mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET-Halbbrückenmodul 2000 V, 6 mΩ bietet einen NTC-Temperatursensor, Press FIT Contact Technology und Aluminiumnitrid-Keramik.

Erstklassige Gehäuse mit 12 mm Höhe

Vorsprung durch WBG-Material

Sehr geringe Streuinduktivität des Moduls

Press FIT-Stifte

Integrierter NTC-Temperatursensor

Breiter Gate-Source-Spannungsbereich

Geringe Schalt- und Leitungsverluste

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