Infineon F3L6MR Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 375 A 20 mW F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 AG-EASY2B.

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RS Best.-Nr.:
351-915
Herst. Teile-Nr.:
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

375A

Drain-Source-Spannung Vds max.

2000V

Serie

F3L6MR

Gehäusegröße

AG-EASY2B.

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Durchlassspannung Vf

6.15V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

12.255mm

Länge

62.8mm

Breite

48 mm

Normen/Zulassungen

IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Easy pack 2B CoolSiC MOSFET 3-Level-Modul 2000 V, 6 mΩ mit NTC-Temperatursensor, Press FIT Contact Technology und Aluminiumnitrid-Keramik.

Sehr geringe Streuinduktivität des Moduls

Press FIT-Stifte

Integrierter NTC-Temperatursensor

Breiter Gate-Source-Spannungsbereich

Geringe Schalt- und Leitungsverluste

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