Infineon F4 F445MR12W1M1B76BPSA1 N-Kanal Quad, Schraub MOSFET-Modul 1200 V / 25 A AG-EASY2B
- RS Best.-Nr.:
- 234-8967
- Herst. Teile-Nr.:
- F445MR12W1M1B76BPSA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einem Tray von 24)
74,468 €
(ohne MwSt.)
88,617 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Tray* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | 74,468 € | 1.787,232 € |
| 48 - 48 | 70,744 € | 1.697,856 € |
| 72 + | 67,244 € | 1.613,856 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 234-8967
- Herst. Teile-Nr.:
- F445MR12W1M1B76BPSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Das Infineon-IGBT-Modul verfügt über einen 4-N-Kanal-FET (Halbbrücke), der mit 1200 V Drain-Source-Spannung und 75 A Dauerstrom arbeitet.
Chassismontage
–40 °C bis 150 °C Betriebstemperatur
–40 °C bis 150 °C Betriebstemperatur
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 25 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
| Serie | F4 |
| Gehäusegröße | AG-EASY2B |
| Montage-Typ | Schraubmontage |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,045 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5.55V |
| Transistor-Werkstoff | SiC |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 4 |
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