Infineon Isoliert F4 Typ N-Kanal MOSFET 1200 V / 25 A 20 mW, 2-Pin AG-EASY2B. F445MR12W1M1B76BPSA1

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RS Best.-Nr.:
234-8967
Herst. Teile-Nr.:
F445MR12W1M1B76BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

F4

Gehäusegröße

AG-EASY2B.

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

15 V

Durchlassspannung Vf

5.65V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.062μC

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Betriebstemperatur min.

-40°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

60749 and 60068, IEC 60747

Länge

62.8mm

Breite

33.8 mm

Höhe

16.4mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon-IGBT-Modul verfügt über einen 4-N-Kanal-FET (Halbbrücke), der mit 1200 V Drain-Source-Spannung und 75 A Dauerstrom arbeitet.

Chassismontage

–40 °C bis 150 °C Betriebstemperatur

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