Infineon CoolSiC N-KanalDual, SchraubSiC-Leistungsmodul 1200 V / 200 A AG-EASY2B
- RS Best.-Nr.:
- 201-2810
- Herst. Teile-Nr.:
- FF6MR12W2M1B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 201-2810
- Herst. Teile-Nr.:
- FF6MR12W2M1B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 200 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | AG-EASY2B | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,00825 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5.55V | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 200 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1200 V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße AG-EASY2B | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,00825 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5.55V | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Das Infineon 6 mO, 1200 V Halbbrückenmodul mit Siliziumkarbid-MOSFET verfügt über NTC-Temperatursensor und Presssitz-Kontakttechnologie. Es ist auch mit thermischem Schnittstellenmaterial erhältlich.
Hohe Stromdichte
Geringe induktive Bauweise
Niedrige Schaltverluste
RoHS-konforme Module
Geringe induktive Bauweise
Niedrige Schaltverluste
RoHS-konforme Module
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