Infineon HEXFET IRFB3206PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 210 A 300 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 495-574
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB3206PBF
- Marke:
- Infineon
42 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
285 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro Stück
1,52 €
(ohne MwSt.)
1,81 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück |
| 1 - 9 | 1,52 € |
| 10 - 49 | 1,43 € |
| 50 - 99 | 1,33 € |
| 100 - 249 | 1,24 € |
| 250 + | 1,16 € |
- RS Best.-Nr.:
- 495-574
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB3206PBF
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon
Motorsteuerungs-MOSFET
Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.
Synchrongleichrichter-MOSFET
Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 210 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Serie | HEXFET |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 300 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Breite | 4.83mm |
| Länge | 10.67mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 9.02mm |
- RS Best.-Nr.:
- 495-574
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB3206PBF
- Marke:
- Infineon
Verwandte Produkte
- Infineon HEXFET IRF1010EZPBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRFB38N20DPBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRFB3077PBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET AUIRFB3207 N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRFB4310PBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRFZ44EPBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRF1324PBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET AUIRF2907Z N-Kanal 3-Pin TO-220AB