Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 43 A 300 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 827-3944
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB38N20DPBF
- Marke:
- Infineon
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- 827-3944
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB38N20DPBF
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 43A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 54mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 60nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.69mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 16.51mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 54mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 60nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.69mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 16.51mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 43A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 300W maximale Verlustleistung - IRFB38N20DPBF
Eigenschaften und Vorteile
Anwendungsbereich
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