Nexperia PH8230E,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 67 A 62,5 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

RS Best.-Nr.:: 509-150
Herst. Teile-Nr.:: PH8230E,115
Marke:: Nexperia

Nexperia PH8230E,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 67 A 62,5 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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Herst. Teile-Nr.:: PH8230E,115
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Ursprungsland:: PH

Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	67 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	LFPAK, SOT-669
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	62,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.1mm
Länge	5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	14 nC @ 5 V
Höhe	1.1mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

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