- RS Best.-Nr.:
- 151-3378
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN8R5-60YS,115
- Marke:
- Nexperia
Voraussichtlich ab 10.12.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 1500)
0,704 €
(ohne MwSt.)
0,838 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
---|---|---|
1500 + | 0,704 € | 1.056,00 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 151-3378
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN8R5-60YS,115
- Marke:
- Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-MOSFETs, 40 V – 60 V, MOSFETs mit Logik- und Standardpegel in einer Vielzahl von Gehäusen. Entdecken Sie unsere robusten und einfach zu verwenden MOSFETs im Bereich von 40 V bis 60 V, die Teil unseres massiven Portfolios von MOSFET-Bauelementen sind. Sie eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltperformance und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA).
N-Kanal LFPAK 60 V, 8 mΩ MOSFET für Standardpegel, N-Kanal-MOSFET für Standardpegel in LFPAK-Gehäuse, qualifiziert bis 175 °C. Dieses Produkt wurde für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen in Industrie-, Kommunikations- und Haushaltsgeräten entwickelt und zugelassen.
Der fortschrittliche TrenchMOS bietet einen niedrigen RDSon und eine geringe Gate-Ladung
Hohe Steigerung der Effizienz für Schaltwandler
Verbesserte mechanische und thermische Eigenschaften
LFPAK sorgt für maximale Leistungsdichte in einem SO8-Gehäuse
DC/DC-Wandler
Li-Ion-Akku-Schutz
Schalten von Lasten
Motorsteuerung
Servernetzteile
Hohe Steigerung der Effizienz für Schaltwandler
Verbesserte mechanische und thermische Eigenschaften
LFPAK sorgt für maximale Leistungsdichte in einem SO8-Gehäuse
DC/DC-Wandler
Li-Ion-Akku-Schutz
Schalten von Lasten
Motorsteuerung
Servernetzteile
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 76 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | LFPAK, SOT-669 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 18,4 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.8V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 106 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | 20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 4.1mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Länge | 5mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
Höhe | 1.05mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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