Microchip VP3203 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 90 V / 350 mA 1
- RS Best.-Nr.:
- 598-595
- Herst. Teile-Nr.:
- VP3203N8-G
- Marke:
- Microchip
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal vertikaler DMOS-FET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 90V | |
| Gehäusegröße | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Serie | VP3203 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.08mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Breite | 4.19 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal vertikaler DMOS-FET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 90V | ||
Gehäusegröße TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Serie VP3203 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.08mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Breite 4.19 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der vertikale MOSFET mit P-Kanal-Enhancement-Modus von Microchip ist ein niedrigschwelliger, normalerweise ausgeschalteter Transistor, der eine vertikale DMOS-Struktur und den bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate von Supertex nutzt. Diese Kombination bietet die Leistungsummantelungsfunktionen von bipolaren Transistoren sowie die hohe Eingangsimpedanz und den positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Geräten innewohnen. Wie bei allen MOS-Strukturen ist dieses Gerät frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärbruch, was eine robuste und zuverlässige Leistung gewährleistet.
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringer Stromverbrauch
Einfache Parallelschaltung
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Ausgezeichnete thermische Stabilität
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