Microchip N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 90 V / 350 mA 1 W,

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RS Best.-Nr.:
598-980
Herst. Teile-Nr.:
VN0109N3-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

N-Kanal vertikaler DMOS-FET

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

90V

Gehäusegröße

TO-92-3 (TO-226AA)

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.8V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.08mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Breite

4.19 mm

Höhe

5.33mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der vertikale N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor von Microchip nutzt eine vertikale doppelt diffusierte Metalloxid-Halbleiter-Struktur (DMOS) zusammen mit einem bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Diese Kombination sorgt dafür, dass das Gerät frei von sekundären Ausfällen ist und mit einem niedrigen Stromversorgungsbedarf arbeitet, was es effizient und zuverlässig für verschiedene Anwendungen macht.

Einfache Parallelschaltung

Geringer Stromverbrauch

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

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