Microchip VN2460 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 90 V / 350 mA 1
- RS Best.-Nr.:
- 598-665
- Herst. Teile-Nr.:
- VN2460N3-G
- Marke:
- Microchip
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal vertikaler DMOS-FET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 90V | |
| Serie | VN2460 | |
| Gehäusegröße | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 4.19 mm | |
| Länge | 5.08mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal vertikaler DMOS-FET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 90V | ||
Serie VN2460 | ||
Gehäusegröße TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 4.19 mm | ||
Länge 5.08mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der vertikale N-Kanal-MOSFET mit Verstärkungsmodus von Microchip ist ein normalerweise ausgeschalteter Transistor, der eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate verwendet. Diese Kombination bietet die Leistungsummantelungsfunktionen von bipolaren Transistoren und bietet gleichzeitig die hohe Eingangsimpedanz und den positiven Temperaturkoeffizienten, die typisch für MOS-Geräte sind. Wie bei allen MOS-Strukturen ist das Gerät frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärausfall, was selbst unter anspruchsvollen Bedingungen eine zuverlässige Leistung gewährleistet.
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringer Stromverbrauch
Einfache Parallelschaltung
Ausgezeichnete thermische Stabilität
Integrierte Quellen-Ablassdiode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
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