Microchip N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 90 V / 350 mA 1 W,

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RS Best.-Nr.:
598-665
Herst. Teile-Nr.:
VN2460N3-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

N-Kanal vertikaler DMOS-FET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

90V

Gehäusegröße

TO-92-3 (TO-226AA)

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Durchlassspannung Vf

1.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.19 mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Höhe

5.33mm

Länge

5.08mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der vertikale N-Kanal-MOSFET mit Verstärkungsmodus von Microchip ist ein normalerweise ausgeschalteter Transistor, der eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate verwendet. Diese Kombination bietet die Leistungsummantelungsfunktionen von bipolaren Transistoren und bietet gleichzeitig die hohe Eingangsimpedanz und den positiven Temperaturkoeffizienten, die typisch für MOS-Geräte sind. Wie bei allen MOS-Strukturen ist das Gerät frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärausfall, was selbst unter anspruchsvollen Bedingungen eine zuverlässige Leistung gewährleistet.

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringer Stromverbrauch

Einfache Parallelschaltung

Ausgezeichnete thermische Stabilität

Integrierte Quellen-Ablassdiode

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

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