Microchip N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 90 V / 350 mA 1 W,

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RS Best.-Nr.:
598-726
Herst. Teile-Nr.:
VP0550N3-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

N-Kanal vertikaler DMOS-FET

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

90V

Gehäusegröße

TO-92-3 (TO-226AA)

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.8V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

5.33mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Breite

4.19 mm

Länge

5.08mm

Automobilstandard

Nein

Der vertikale MOSFET mit P-Kanal-Enhancement-Modus von Microchip ist ein niedrigschwelliger, normalerweise ausgeschalteter Transistor, der eine vertikale DMOS-Struktur und den bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate von Supertex nutzt. Diese Kombination bietet die Leistungsummantelungsfunktionen von bipolaren Transistoren sowie die hohe Eingangsimpedanz und den positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Geräten innewohnen. Wie bei allen MOS-Strukturen ist dieses Gerät frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärbruch, was eine robuste und zuverlässige Leistung gewährleistet.

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringer Stromverbrauch

Einfache Parallelschaltung

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Ausgezeichnete thermische Stabilität

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