Microchip VP0808 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 280 mA 1 W, 3-Pin VP0808L-G TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 649-535
- Herst. Teile-Nr.:
- VP0808L-G
- Marke:
- Microchip
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- VP0808L-G
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 280mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | VP0808 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 0.080 mm | |
| Länge | 0.50mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 280mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie VP0808 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 0.080 mm | ||
Länge 0.50mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) von Microchip nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Siliziumgate-Fertigungsprozess. Durch diese Kombination entsteht ein Produkt mit der Leistungsbelastbarkeit von bipolaren Transistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Bauelementen. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist. Vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine eine sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringer Stromverbrauch
Einfache Parallelschaltung
Niedrige CISS-Werte und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete thermische Stabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
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