Microchip TP0620 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / -175 A 1 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 264-8927
- Herst. Teile-Nr.:
- TP0620N3-G
- Marke:
- Microchip
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| 5 - 45 | 1,668 € | 8,34 € |
| 50 - 95 | 1,376 € | 6,88 € |
| 100 - 245 | 1,276 € | 6,38 € |
| 250 - 495 | 1,25 € | 6,25 € |
| 500 + | 1,224 € | 6,12 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-8927
- Herst. Teile-Nr.:
- TP0620N3-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -175A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | TP0620 | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -175A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie TP0620 | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert und Verstärkungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Niedriger Schwellenwert (-2,4 V max.)
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität (85 pF typisch)
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundären Störungen
Niedrige Eingangs- und Ausgangslecks