- RS Best.-Nr.:
- 264-8927P
- Herst. Teile-Nr.:
- TP0620N3-G
- Marke:
- Microchip
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1,454 €
(ohne MwSt.)
1,73 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
---|---|
50 - 95 | 1,454 € |
100 - 245 | 1,35 € |
250 - 495 | 1,322 € |
500 + | 1,294 € |
- RS Best.-Nr.:
- 264-8927P
- Herst. Teile-Nr.:
- TP0620N3-G
- Marke:
- Microchip
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der P-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert und Verstärkungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Niedriger Schwellenwert (-2,4 V max.)
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität (85 pF typisch)
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundären Störungen
Niedrige Eingangs- und Ausgangslecks
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität (85 pF typisch)
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundären Störungen
Niedrige Eingangs- und Ausgangslecks
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Drain-Source-Spannung max. | 200 V |
Gehäusegröße | TO-92 |
Montage-Typ | THT |