Microchip VP2106N3-G P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 250 mA 1 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 165-4218
- Herst. Teile-Nr.:
- VP2106N3-G
- Marke:
- Microchip
Alle MOSFET anzeigen
2000 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro Stück (In in einem Beutel mit 1000)
0,289 €
(ohne MwSt.)
0,344 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Beutel* |
| 1000 + | 0,289 € | 289,00 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 165-4218
- Herst. Teile-Nr.:
- VP2106N3-G
- Marke:
- Microchip
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
Supertex P-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET-Transistoren
Die Supertex-Serie von P-Kanal-Anreicherungstyp-DMOS-FET-Transistoren (normalerweise aus) von Microchip ist für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen geeignet, bei denen niedrige Schwellenspannung, hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.
MOSFET-Transistoren, Microchip
Technische Daten
| Eigenschaft | Wert |
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 250 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | TO-92 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 15 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Verlustleistung max. | 1 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 4.06mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 5.08mm |
| Höhe | 5.33mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 2V |