Microchip Unabhängiger N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET TC2320 P-Kanal, N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays Erweiterung / 2.1

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RS Best.-Nr.:
598-027
Herst. Teile-Nr.:
TC2320TG-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

P-Kanal, N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET-Arrays

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.1A

Gehäusegröße

SOIC

Serie

TC2320

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Unabhängiger N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET

Normen/Zulassungen

RoHS Certificate of Compliance

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Der Hochspannungs-N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET mit niedriger Schwelle von Microchip in einem 8-adrigen SOIC-Gehäuse ist ein Verstärkungsmodus-Transistor (normalerweise aus), der eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Herstellungsprozess nutzt. Diese Kombination bietet die Leistungsummantelungsfunktionen von bipolaren Transistoren bei gleichzeitiger Beibehaltung einer hohen Eingangsimpedanz und eines positiven Temperaturkoeffizienten, typisch für MOS-Geräte. Wie bei allen MOS-Strukturen ist das Gerät frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärbruch, was eine zuverlässige Leistung gewährleistet.

Niedriger Schwellenwert

Geringer Widerstand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Keine sekundäre Durchschaltung

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