Microchip Unabhängiger N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET TC2320 P-Kanal, N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays Erweiterung / 2.1
- RS Best.-Nr.:
- 598-027
- Herst. Teile-Nr.:
- TC2320TG-G
- Marke:
- Microchip
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- TC2320TG-G
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal, N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET-Arrays | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.1A | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | TC2320 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Unabhängiger N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Certificate of Compliance | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal, N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET-Arrays | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.1A | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie TC2320 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Unabhängiger N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET | ||
Normen/Zulassungen RoHS Certificate of Compliance | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Hochspannungs-N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET mit niedriger Schwelle von Microchip in einem 8-adrigen SOIC-Gehäuse ist ein Verstärkungsmodus-Transistor (normalerweise aus), der eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Herstellungsprozess nutzt. Diese Kombination bietet die Leistungsummantelungsfunktionen von bipolaren Transistoren bei gleichzeitiger Beibehaltung einer hohen Eingangsimpedanz und eines positiven Temperaturkoeffizienten, typisch für MOS-Geräte. Wie bei allen MOS-Strukturen ist das Gerät frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärbruch, was eine zuverlässige Leistung gewährleistet.
Niedriger Schwellenwert
Geringer Widerstand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Keine sekundäre Durchschaltung
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