Microchip Elektrisch isolierte N-Kanal- und P-Kanal-Paare (2 Paare) TC7920 N-Kanal, P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3300 Stück)*

10.319,10 €

(ohne MwSt.)

12.279,30 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 25. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3300 +3,127 €10.319,10 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
598-568
Herst. Teile-Nr.:
TC7920K6-G
Marke:
Microchip
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

N-Kanal, P-Kanal

Produkt Typ

MOSFET-Arrays

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

TC7920

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

12

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Elektrisch isolierte N-Kanal- und P-Kanal-Paare (2 Paare)

Breite

4.15 mm

Normen/Zulassungen

RoHS Certificate of Compliance

Höhe

1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die Hochspannungs-N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs mit niedriger Schwelle von Microchip in einem 12-adrigen DFN-Gehäuse verfügen über integrierte Hochspannungs-Ablassdioden, Gate-to-Source-Widerstände und Gate-to-Source-Zener-Dioden-Klemmen, womit sie ideal für Hochspannungsimpulsanwendungen sind. Diese komplementären, Hochgeschwindigkeits-Hochspannungs-MOSFET-Paar mit Gate-Clamp verwenden eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate. Diese Kombination bietet die Leistungsummantelungsfunktionen von bipolaren Transistoren sowie die hohe Eingangsimpedanz und den positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten.

Integrierter Gate-zu-Quelle-Widerstand

Integrierte Gate-zu-Quelle-Zener-Diode

Niedriger Schwellenwert, niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Geringe Eingangs- und Ausgangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Verwandte Links