Microchip Komplementärpaar TC6320 P-Kanal, N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays 200 V Erweiterung / 2 A, 8-Pin VDFN

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3300 Stück)*

7.260,00 €

(ohne MwSt.)

8.646,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 03. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3300 +2,20 €7.260,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
598-279
Herst. Teile-Nr.:
TC6320K6-G
Marke:
Microchip
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET-Arrays

Kabelkanaltyp

P-Kanal, N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

TC6320

Gehäusegröße

VDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.8V

Transistor-Konfiguration

Komplementärpaar

Breite

0.31 mm

Länge

0.40mm

Normen/Zulassungen

RoHS Certificate of Compliance

Höhe

1.35mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Die Hochspannungs-N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs mit niedriger Schwelle von Microchip in 8-adrigen VDFN- und SOIC-Gehäusen verfügen über integrierte Gate-to-Source-Widerstände und Gate-to-Source-Zener-Diodenklemmen, womit sie ideal für Hochspannungsimpulsanwendungen sind. Dieses komplementäre, Hochgeschwindigkeits-Hochspannungs-MOSFET-Paar mit N-Kanal- und P-Kanal-Gate-Klemmen verwendet eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Herstellungsprozess. Die Kombination bietet die Leistungsummantelungsfunktionen von bipolaren Transistoren zusammen mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die typisch für MOS-Geräte sind. Wie bei allen MOS-Strukturen sind diese Geräte frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärbruch.

Niedriger Schwellenwert

Geringer Widerstand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage

Verwandte Links